III-V族窒化物系半導体の結晶成長過程に関する計算化学的検討

○稲葉 祐策	いなば ゆうさく		東北大院工
  小野津 崇之	おのづ たかゆき		東北大院工
  高見 誠一	たかみ せいいち		東北大院工
  久保 百司	くぼも もじ		東北大院工
  宮本 明	みやもと あきら		東北大院工

窒化物系半導体による青色発光ダイオードやＬＥＤでは、活性層としてInGaN
が用いられ、可視光から紫外光までの波長をカバーする発光素子材料として注
目されている。しかし，サファイア基板上に成長したInGaN量子井戸構造では
In組成の不均一化や結晶欠陥生成など、その成長過程に関して不明な点が多い。
そこで本研究ではIII-V族GaN系結晶の成長過程に関して計算化学的手法を用い
て検討を行った。周期的DFT量子化学計算にはMSI社のCASTEPプログラムを用い
た。擬ポテンシャルおよび平面波基底関数を用い、交換相関相互作用について
はPerdewとWangが開発したものを用いた。InGaN混晶のモデルを作成し、その
最安定構造とトータルエネルギーを計算する事によってInGaNの結晶性につい
て検討を行った。